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内存短缺何时休:最短两年 最长至2030年

2026-03-21 02:52:00 编辑:基金速查网

[导读]:始自2025年年末的内存短缺潮将于何时结束,近期成为多家半导体巨头热议的焦点。在GTC2026上,旗下拥有全球存储巨头海力士的韩国SK集团会长崔泰源公开表示,造成此轮短缺的主要原因是晶圆供应不足,而解决该问题至少需要4~5年,因此其预计,本轮内存供应短缺将持续至2030年,供应缺口超20%罗国昭认为,这轮内存危机,本质上是算力资源分配失衡带来的后果。由于AI改变了半导体行业的利润优先级,传统的电子消费业版图正被迫重塑。

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  始自2025年年末的内存短缺潮将于何时结束,近期成为多家半导体巨头热议的焦点。

  在GTC2026上,旗下拥有全球存储巨头海力士的韩国SK集团会长崔泰源公开表示,造成此轮短缺的主要原因是晶圆供应不足,而解决该问题至少需要4~5年,因此其预计,本轮内存供应短缺将持续至2030年,供应缺口超20%。

  同时,同为存储巨头的三星也于日前释出展望。据韩国媒体报道,三星半导体内部已经开始担忧,这轮供应短缺导致的内存热将会持续1~2年,之后可能会重回下行周期。

  综合来看,半导体行业目前对于此轮内存短缺至少要持续2年才会结束基本已达共识。“内存企业对于前景的预估,大多基于自身的库存和产能数据。”CHIP中国实验室主任罗国昭向《中国经营报》记者表示,因此,这种预估虽然保守,但也相对准确。而从多数行业机构给出的研判看,形势更为严峻。

  与三星持相同观点的还包括美光科技、中国台湾地区的DRAM内存制造商南亚科技。在2026年1月的公开报道中,两家公司的相关负责人都将预估时间窗口期放在了2028年,但双方都给出了“最快”的保守限定。此外,日本存储巨头铠侠存储器事业部执行董事中户俊介也于今年年初发出预计,NAND闪存供应紧张的局面至少会持续至2027年。 ... 网页链接